各有關(guān)單位：
國(guó)家自然科學(xué)基金近期發(fā)布了”集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)”重大研究計(jì)劃項(xiàng)目指南，本重大研究計(jì)劃面向集成芯片前沿技術(shù)，聚焦在芯粒集成度（數(shù)量和種類(lèi)）大幅提升帶來(lái)的全新問(wèn)題，擬通過(guò)集成電路科學(xué)與工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)、數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)和材料等學(xué)科深度交叉與融合，探索集成芯片分解、組合和集成的新原理，并從中發(fā)展出一條基于自主集成電路工藝提升芯片性能1-2個(gè)數(shù)量級(jí)的新技術(shù)路徑，培養(yǎng)一支有國(guó)際影響力的研究隊(duì)伍，提升我國(guó)在芯片領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力。2024年度資助的研究方向如下：
（一）培育項(xiàng)目。
1. 芯粒分解組合與可復(fù)用設(shè)計(jì)方法。
2. 多芯粒并行處理與互連架構(gòu)。
3. 集成芯片多場(chǎng)仿真與EDA。
4. 集成芯片電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
5. 集成芯片2.5D/3D工藝技術(shù)。
（二）重點(diǎn)支持項(xiàng)目。
1．緩存一致性與存儲(chǔ)系統(tǒng)。
2. 芯粒分解和組合優(yōu)化方法。
3. 多光罩集成芯片的布局布線(xiàn)方法。
4. 集成芯片的可測(cè)試性設(shè)計(jì)方法。
5. 高能效的芯粒互連單端并行接口電路。
6. 面向芯粒尺度的多場(chǎng)仿真算法與求解器。
7. 大尺寸硅基板制造技術(shù)及翹曲模型和應(yīng)力優(yōu)化。
8. 三維集成高效散熱材料與結(jié)構(gòu)。
（三）集成項(xiàng)目。
1．異構(gòu)計(jì)算三維集成芯片。
2024年度擬資助培育項(xiàng)目15項(xiàng)左右，直接費(fèi)用的平均資助強(qiáng)度約為80萬(wàn)元/項(xiàng)，資助期限為3年；擬資助重點(diǎn)支持項(xiàng)目8項(xiàng)左右，直接費(fèi)用的平均資助強(qiáng)度約為300萬(wàn)元/項(xiàng)，資助期限為4年；擬資助集成項(xiàng)目1項(xiàng)，直接費(fèi)用的平均資助強(qiáng)度約為1500萬(wàn)元，資助期限為4年。
重大研究計(jì)劃培育項(xiàng)目和重點(diǎn)支持項(xiàng)目計(jì)入高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)（職稱(chēng)）人員申請(qǐng)和承擔(dān)總數(shù)2項(xiàng)的范圍，集成項(xiàng)目不計(jì)入高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)（職稱(chēng)）人員申請(qǐng)和承擔(dān)總數(shù)2項(xiàng)的范圍，本項(xiàng)目申請(qǐng)階段實(shí)行無(wú)紙化申請(qǐng)，科研部受理時(shí)間為2024年6月4日，請(qǐng)有意申報(bào)的老師認(rèn)真閱讀項(xiàng)目指南，根據(jù)要求在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)上報(bào)有關(guān)材料。
具體詳情參見(jiàn)基金委網(wǎng)站：https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info92532.htm
聯(lián)系人：李璐璐
電 話(huà)：63606707
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科研部
2024年5月14日
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