各有關(guān)單位：
國家自然科學(xué)基金近期發(fā)布了“后摩爾時代新器件基礎(chǔ)研究”重大研究計劃項目指南，本重大研究計劃面向芯片自主發(fā)展的國家重大戰(zhàn)略需求，以芯片的基礎(chǔ)問題為核心，旨在發(fā)展后摩爾時代新器件和計算架構(gòu)，突破芯片算力瓶頸，促進(jìn)我國芯片研究水平的提升，支撐我國在芯片領(lǐng)域的科技創(chuàng)新。
針對后摩爾時代芯片技術(shù)的算力瓶頸，本重大研究計劃圍繞以下三個核心科學(xué)問題展開研究：（一）CMOS器件能耗邊界及突破機(jī)理。（二）突破硅基速度極限的器件機(jī)制。（三）超越經(jīng)典馮?諾依曼架構(gòu)能效的機(jī)制。
2024年度重點(diǎn)資助研究方向如下：
（一）培育項目。
圍繞上述科學(xué)問題，以總體科學(xué)目標(biāo)為牽引，擬資助探索性強(qiáng)、選題新穎、前期研究基礎(chǔ)較好的培育項目5項，研究方向包括但不限于以下內(nèi)容：
1. 超低功耗器件的理論、材料與集成技術(shù)。
2. 高速高性能器件的理論、材料與集成技術(shù)。
3. 高能效計算與存儲架構(gòu)。
（二）重點(diǎn)支持項目。
圍繞核心科學(xué)問題，以總體科學(xué)目標(biāo)為牽引，擬資助前期研究成果積累較好、處于當(dāng)前前沿?zé)狳c(diǎn)、對總體目標(biāo)有較大貢獻(xiàn)的重點(diǎn)支持項目6項，方向如下：
1.超低溫下的彈道輸運(yùn)器件。
2.高遷移率堆疊溝道圍柵CMOS器件。
3.高魯棒性的SRAM存算一體架構(gòu)及其大規(guī)模擴(kuò)展架構(gòu)研究。
4.融合不同存儲介質(zhì)的異構(gòu)存算一體架構(gòu)研究。
5.面向科學(xué)計算的高精度模擬計算架構(gòu)研究。
6.面向新型計算器件的異構(gòu)眾核架構(gòu)設(shè)計方法。
（三）集成項目。
擬遴選具有重大應(yīng)用價值和良好研究基礎(chǔ)的研究方向資助集成項目3項，方向如下：
1.面向大規(guī)模CMOS集成的二維半導(dǎo)體技術(shù)。
2.RISC-V與存算一體異構(gòu)融合芯片。
3.數(shù)據(jù)驅(qū)動存算集成計算架構(gòu)。
2024年度擬資助培育項目5項，直接費(fèi)用的平均資助強(qiáng)度約為80萬元/項，資助期限為3年；擬資助重點(diǎn)支持項目6項，直接費(fèi)用的平均資助強(qiáng)度約為300萬元/項，資助期限為3年。擬資助集成項目3項，直接費(fèi)用的平均資助強(qiáng)度約為1500萬元/項，資助期限為3年。
重大研究計劃培育項目和重點(diǎn)支持項目計入高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)（職稱）人員申請和承擔(dān)總數(shù)2項的范圍，集成項目不計入高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)（職稱）人員申請和承擔(dān)總數(shù)2項的范圍，本項目申請階段實(shí)行無紙化申請，科研部受理時間為2024年6月27日，請有意申報的老師認(rèn)真閱讀項目指南，根據(jù)要求在規(guī)定的時間內(nèi)上報有關(guān)材料。
具體詳情參見基金委網(wǎng)站：https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info92645.htm
聯(lián)系人：李璐璐
電 話：63606707
Email：lilulu08@m.vxmx.cn
科研部
2024年5月27日
更多項目申報信息請參見科研部日歷：http://kp2020.m.vxmx.cn/calendar
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